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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收(shōu)入华人在菲律宾危险吗，中国人在菲律宾安全吗从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据(jù华人在菲律宾危险吗，中国人在菲律宾安全吗)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美(měi)光等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zh华人在菲律宾危险吗，中国人在菲律宾安全吗ǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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